4a O 58/09 – Dotierungsverfahren für Halbleiterkristalle

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Düsseldorfer Entscheidung Nr.: 1498

Landgericht Düsseldorf
Urteil vom 12. Oktober 2010, Az. 4a O 58/09

I. Die Beklagte zu 1) wird verurteilt, der Klägerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Aufträge, Auftragsbestätigungen, Rechnungen, Lieferscheine oder Zollpapiere vollständig und wahrheitsgemäß Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie im Zeitraum 01.01.1999 – 07.08.2009 in der Bundesrepublik Deutschland

1. ein Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einem Kristall eines Halbleiters mit großer Bandlücke angewendet hat, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:

gleichzeitiges Einbringen im Wesentlichen gleicher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt des Kristalls, so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt des Kristalls die Löslichkeit des weniger beweglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe überschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des beweglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt des Kristalls hinterlassen wird;

2. Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, angeboten, in Verkehr gebracht oder gebraucht oder zu den genannten Zwecken eingeführt oder besessen hat, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind;

bezüglich der unter Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen unter Angabe

a) der Anzahl der Anwendungen des Verfahrens,

b) der Menge der Erzeugnisse, die unter Anwendung des Verfahrens hergestellt wurden, einschließlich der Angabe von Typenbezeichnungen sowie der Herstellungszeiten,

bezüglich der unter Ziffer I. 2. bezeichneten Handlungen unter Angabe

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhalte-nen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse einschließlich sämtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschlüsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,

c) der einzelnen Angebote, aufgeschlüsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Angebotsempfänger,

d) der betriebenen Werbung, aufgeschlüsselt nach Werbeträgern, deren Auflagenhöhe, Verbreitungs-zeitraum und Verbreitungsgebiet,

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschlüsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst für die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,

wobei der Beklagten zu 1) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempfänger und der nicht gewerbli-chen Abnehmer statt der Klägerin einem von dieser zu bezeich-nenden und ihr gegenüber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftsprüfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 1) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten trägt und ihn zugleich ermächtigt, der Klägerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempfänger, Abnehmer und/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht.

II. Die Beklagte zu 2) wird verurteilt, der Klägerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Aufträge, Auftragsbestätigungen, Rechnungen, Lieferscheine oder Zollpapiere vollständig und wahrheitsgemäß Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie im Zeitraum 28.02.1990 – 07.08.2009 in der Bundesrepublik Deutschland

Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, angeboten, in Verkehr gebracht oder gebraucht oder zu den genannten Zwecken eingeführt oder besessen hat, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind, unter Angabe

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse ein-schließlich sämtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschlüsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,

c) der einzelnen Angebote, aufgeschlüsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschrif-ten der Angebotsempfänger,

d) der betriebenen Werbung, aufgeschlüsselt nach Werbeträ-gern, deren Auflagenhöhe, Verbreitungszeitraum und Ver-breitungsgebiet,

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschlüsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst für die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,

wobei der Beklagten zu 2) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempfänger und der nicht gewerbli-chen Abnehmer statt der Klägerin einem von dieser zu bezeich-nenden und ihr gegenüber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftsprüfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 2) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten trägt und ihn zugleich ermächtigt, der Klägerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempfänger, Abnehmer und/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht.

III. Es wird festgestellt,

1. dass die Beklagte zu 1) verpflichtet ist,

a) der Klägerin eine angemessene Entschädigung für die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und in der Zeit vom 01.01.1999 bis 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,

b) der Klägerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und im Zeitraum 27.02.2000 – 07.08.2009 begangenen Handlungen entstanden ist und künftig noch entstehen wird.

2. dass die Beklagte zu 2) verpflichtet ist,

a) der Klägerin eine angemessene Entschädigung für die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und in der Zeit vom 28.03.1990 bis 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,

b) der Klägerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und im Zeitraum 27.02.2000 – 07.08.2009 begangenen Handlungen entstanden ist und künftig noch entstehen wird.

IV. Im Übrigen wird die Klage, soweit die Parteien den Rechtsstreit nicht übereinstimmend für erledigt erklärt haben, abgewiesen.

V. Die Kosten des Rechtsstreits werden den Beklagten je zur Hälfte auferlegt.

VI. Das Urteil ist gegen jede Beklagte gegen Sicherheitsleistung in Höhe von jeweils 7.500.000,- EUR vorläufig vollstreckbar.
Die Sicherheitsleistung kann auch durch eine unwiderrufliche, unbedingte, unbefristete und selbstschuldnerische Bürgschaft einer in der Europäischen Union als Zoll- oder Steuerbürgin anerkannten Bank oder Sparkasse erbracht werden.

Tatbestand:

Die Klägerin ist eingetragene Inhaberin des europäischen Patents 0 356 XXX B1 (im Folgenden: Klagepatent). Das Klagepatent wurde unter Inanspruchnahme der Priorität zweier US-Patentschriften vom 15.08.1988 bzw. vom 22.08.1988 am 07.08.1989 in englischer Verfahrenssprache angemeldet. Die Veröffentlichung der Anmeldung des Klagepatents erfolgte am 28.02.1990, der Hinweis auf die Patenterteilung wurde am 26.01.2000 bekannt gemacht. Zu den benannten Vertragsstaaten gehört die Bundesrepublik Deutschland (DE 689 29 XXX T2). Mit Schriftsatz vom 10.08.2010 haben die Beklagten in Bezug auf den deutschen Teil des Klagepatents Nichtigkeitsklage erhoben, über die bisher nicht entschieden wurde.

Das Klagepatent betrifft ein „Dotierungsverfahren für Halbleiterkristalle mit gro-ßer Bandlücke“ („Process for doping crystals of wide band gap semiconduc-tors“). Der für den vorliegenden Rechtsstreit maßgebliche Patentanspruch 1 ist in der eingetragenen deutschen Fassung wie folgt formuliert:

„Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einem Kristall (12, 14) eines Halbleiters mit großer Bandlücke, wobei das Verfah-ren die Schritte aufweist: gleichzeitiges Einbringen im wesentlichen glei-cher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt (14) des Kristalls (12, 14), so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt (14) des Kristalls die Löslichkeit des weniger be-weglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe überschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des be-weglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt (14) des Kristalls hinterlassen wird.“

Nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird als sekundärer Ausgleichsdotierstoff Wasserstoff eingesetzt, der gleichzeitig mit dem gewünschten primären Dotierstoff bei einer geeigneten Temperatur diffundiert wird. Dabei kann Wasserstoff sowohl als Ausgleichsdonator als auch als Ausgleichsakzeptor zum Einsatz kommen. Durch das gleichzeitige Einbringen von Wasserstoff als Ausgleichsdotierstoff zusammen mit dem gewünschten Dotierstoff erhöht sich die Löslichkeit des gewünschten Dotierstoffes, so dass sie größer ist, als wenn dieser Dotierstoff allein eingebracht worden wäre. Anschließend wird der Wasserstoff vorzugsweise entfernt. Durch dieses Vorgehen entsteht ein Halbleiter, der einen sehr reduzierten Ausgleich des gewünschten Dotierstoffes und daher einen sehr viel kleineren spezifischen Widerstand aufweist (vgl. Anlage K 2, S. 9 f.).

Mit ihrer Klage richtet sich die Klägerin gegen sämtliche Halbleiterwafer, Halb-leiterchips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukte („Halbleitererzeug-nisse“) der Beklagten, die auf dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) basie-ren und somit insbesondere eine p-dotierte GaN-basierte Halbleiterschicht auf-weisen (im Folgenden: angegriffene Ausführungsformen). Als GaN-basiert werden dabei auch Halbleitererzeugnisse mit p-dotierten ternären oder quaternären Verbindungshalbleiterschichten wie beispielsweise InGaN-, AIGaN oder AllnGaN verstanden. Dabei richtet sich die Klägerin insbesondere auch gegen sämtliche GaN-basierten Halbleiterwafer und Halbleiterchips der Beklagten mit mindestens einer p-dotierten Halbleiterschicht, die geeignet sind, Licht im Wellenlängenbereich von 470 nm (ultraviolett) bis 545 nm (grün) abzustrahlen. Da zur Erzeugung von weißem Licht ebenfalls blaues oder ultraviolettes Licht abstrahlende Halbleiterchips verwendet werden, die mit einem Lumineszenzkonverter überzogen sind, wendet sich die Klägerin mit ihrer Klage auch gegen GaN-basierte Halbleiterchips und Halbleiterwafer mit einer p-dotierten Halbleiterschicht zur Erzeugung von weißem Licht. Die Beklagten bieten auch zusammengesetzte Produkte an, wobei beispielsweise Leuchtdioden mit anderen Elementen kombiniert werden. Außerdem bieten sie auch Begleitprodukte zu unmittelbaren Verfahrenserzeugnissen, insbesondere Zubehör, an.

Die Beklagte zu 1) hat Leuchtdioden in ihrem Produktportfolio, die auf dem Halbleitermaterial GaN basieren, wobei GaN-basierte Leuchtdioden von der Beklagten zu 1) insbesondere als GaN-, InGaN- oder ThinGaN-Leuchtdioden angeboten werden. Der typische Schichtaufbau derartiger GaN-basierter Halb-leiterchips für blaue Leuchtdioden stellt sich dabei wie folgt dar:

In einem typischen Herstellungsablauf wird auf das transparente, nicht leitende Saphir-Trägersubstrat zunächst eine mit Silizium (Si) n-dotierte GaN-Schicht („GaN:Si“) aufgewachsen. Gefolgt wird diese n-dotierte Schicht von einer undotierten InGaN-Schicht („InGaN active layer“), die als aktive Schicht die emittierte Lichtfarbe bestimmt. Darauf wird eine mit Magnesium p-dotierte AlGaN-Schicht („AlGaN:Mg“) aufgewachsen und abschließend eine mit Magnesium p-dotierte GaN-Schicht („GaN:Mg“). Die p-dotierte AlGaN-Schicht dient als so genannter „Confinement-Layer“ dazu, die Elektronen und Elektronenlöcher in der aktiven Schicht einzugrenzen und so ihre Chance zu der strahlenden Rekombination zu erhöhen. Die Nickel-Gold („Ni/Au“)-Schichten dienen schließlich als elektrische Kontakte.

Von diesen GaN-basierten Halbleiterchips unterscheiden sich sogenannte Dünnfilm-GaN-Leuchtdioden („ThinGaN“) dadurch, dass bei diesen Leuchtdio-den eine besondere Weiterbehandlung nach der Herstellung des Halbleiters stattfindet, der Halbleiter selbst bleibt dabei unverändert. Dies lässt sich sche-matisch wie folgt darstellen:

Sämtliche GaN-basierten Halbleiterchips und Halbleiterwafer der Beklagten zu 1) werden in ihrem Stammwerk in A hergestellt. Dies umfasst insbesondere die Epitaxie- und Chipprozesse einschließlich der Erhitzung und der Metallbeschichtung von Halbleitern. In Penang (Malaysia) werden diese vorgefertigten Halbleiterchips zu Leuchtdioden montiert.

Zur Herstellung von Leuchtdioden, die weißes Licht abstrahlen, verwendet die Beklagte zu 1) Leuchtdioden im blauen oder ultravioletten Wellenlängenbereich und überzieht diese mit einem Lumineszenzkonverter. Dabei verwendet die Beklagte zu 1) für ihre Leuchtdioden nur zwei Materialsysteme, nämlich GaN-basierte Halbleiter für den kürzeren Wellenlängenbereich bis etwa 545 nm (dunkelgrün, blau und weiß) und InGaAIP-Halbleiter für den längeren Wellenlängenbereich ab etwa 560 nm (hellgrün, gelb und rot), an.

Die Leuchtdioden der Produktfamilie „B“ emittieren blaues, grünes oder weißes Licht und beinhalten GaN-basierte Halbleiterchips. Sie werden in Ab-hängigkeit von der konkreten Wellenlänge von der Beklagten zu 1) entweder als GaN-Leuchtdioden (blau 465 nm, weiß) oder als InGaN-Leuchtdioden (blau 470 nm, grün 505 oder 528 nm, weiß) bezeichnet. In der Produktfamilie „C“ bietet die Beklagte zu 1) unter den Bezeichnungen „Golden C“, „Diamand C“ und „Platinum C“ Leuchtdioden mit GaN-basierten Halbleiterchips an. Sie werden überwiegend als ThinGaN-Leuchtdioden angeboten, das heißt, sie basieren auf der Dünnfilm-Technologie, bei welcher die GaN-basierten Leuchtdioden nach der Herstellung des Halbleiters weiterbehandelt werden, wobei der Halbleiter an sich unverändert bleibt. Derartige ThinGaN-Halbleiterchips werden in C-Leuchtdioden für blaues Licht (Wellenlänge 455 nm bzw. 470 nm), für grünes Licht (528 nm) sowie für weißes Licht verwendet. Außerdem kommen in C-Produkten teilweise so genannte InGaN-Halbleiterchips zum Einsatz, die weißes Licht, blaues Licht (470 nm) oder grünes Licht (505 nm bzw. 528 nm) abstrahlen. Leuchtdioden der „D“-Produktfamilie werden aus ThinGaN-Halbleiterchips hergestellt, sie können weißes, blaues (464 nm) oder grünes (520 nm, 525 nm) Licht emittieren. In der Produktfamilie „E“ werden überwiegend ThinGaN-Halbleiterchips oder InGaN-Halbleiterchips eingesetzt. Diese Leuchtdioden strahlen weißes, blaues (458 nm, 470 nm) oder grünes (528 nm) Licht ab. Leuchtdioden mit der Bezeichnung „SmartLED“ werden aus InGaN- oder ThinGaN-Halbleiterchips zur Emittierung von weißem, blauen (470 nm) oder grünem (528 nm) Licht hergestellt.

Eine weitere Produktfamilie der Beklagten zu 1) mit GaN-basierten Halbleitern sind F-Leuchtdioden. Sie werden in Abhängigkeit von der konkret ge-wünschten Wellenlänge entweder mit GaN-Halbleiterchips (blau, 465 nm), InGaN-Halbleiterchips (blau 470 nm oder 471 nm, grün 528 nm, weiß 532 nm) oder ThinGaN-Halbleiterchips (weiß, blau 470 nm, grün 528 nm) hergestellt. Darüber hinaus hat die Beklagte zu 1) auch unter den Bezeichnungen „G H mm“, G ILED“, „G J mm“, „K“, „L“, „G M“ und „N“ Leuchtdioden mit GaN-basierten Halbleiterchips im Angebot. Außerdem bietet die Beklagte zu 1) unter der Produktbezeichnung „O“ auch Leuchtdioden mit einem Halbleiterchip an, die Laser-Licht mit einer Wellenlänge von 450 nm emittieren. Ferner bot die Beklagte zu 1) bereits in ihrem Produktkatalog 2002/2003 zahlreiche Leuchtdioden an, die Licht im Wellenlängenbereich von 460 nm (blau) bis 528 nm (grün) oder weißes Licht abstrahlten, also GaN-basierte Halbleiterchips enthielten.

Auch die P AG bot im Juni 1998 über ihren „Bereich Halbleiter“ bereits eine Leuchtdiode an, die blaues Licht mit einer Wellenlänge von 467 nm abstrahlte. Die am 31.12.1998 in der Rechtsform einer GmbH & Co. KG gegründete Beklagte zu 1) entstand als ein Joint Venture aus diesem Bereich „Halbleiter“ der P AG mit der Beklagten zu 2). Ziel dieser Vereinbarung war in erster Linie, das Know-How des Bereichs Halbleiter der P AG in das Gemeinschaftsunternehmen einfließen zu lassen.

Ihre Produkte bietet die Beklagte zu 1) außer in einem deutsch-englischspra-chigen Produktkatalog in der Bundesrepublik Deutschland auch über ihre englischsprachige Internetseite www.Q.com an und vertreibt sie über diese Internetseite auch in Deutschland.

Neben der Beklagten zu 1) bietet auch die Beklagte zu 2) zahlreiche Produkte an, die Leuchtdioden beinhalten. Die Produktpalette umfasst dabei auch blau, grün und weiß leuchtende Leuchtdioden, also Leuchtdioden mit GaN-basierten Halbleiterchips. Dabei wirbt die Beklagte zu 2) damit, dass die komplette Herstellung von Lichtlösungen, beginnend mit der einzelnen Leuchtdiode, in der eigenen Hand liegt. Sämtliche Leuchtdioden, die in Produkten der Beklagten zu 2) enthalten sind, werden von der Beklagten zu 1) hergestellt. Bei der Beschreibung ihrer Produkte greift die Beklagte zu 2) auf die Produktbezeichnungen der Beklagten zu 1) zurück. So verwendet sie für ihre LED-Produkte insbesondere Leuchtdioden aus den Produktfamilien „C“, „D“, „B“ und „E“. Die Leuchtdiode „Golden C“ der Beklagten zu 1) wird bei-spielsweise von der Beklagten zu 2) in deren Color-e-Motion-Produkten, High-Power-Produkten sowie den C Produkten wie „Cstar“, „CEye“, „CPuck“, „Power C“ und „Pocket C“ eingesetzt. Die Tischleuchte LED R ist mit D-Leuchtdioden der Beklagten zu 1) ausgestattet. Power B-Leuchtdioden der Beklagten zu 1) finden sich beispielsweise in weißen Parathom-Leuchten oder der Magni LED der Beklagten zu 1). E-Leuchtdioden werden beispielsweise in farbigen Parathom-Leuchten, einzelnen Color-e-Motion-Produkten, der S sowie der LED T eingesetzt.

Ihre Produkte bietet die Beklagte zu 2) dabei nicht nur in Produktkatalogen in der Bundesrepublik Deutschland, sondern auch über ihre deutschsprachige Internetseite www.U.de an und vertreibt sie über diese Internetseite auch in Deutschland.

Nach Auffassung der Klägerin machen die Beklagten dadurch wortsinngemäß von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch.

Der Nachweis der Patentverletzung könne bereits mit Hilfe der Vermutungsre-gel gemäß § 139 Abs. 3 PatG geführt werden, da das Klagepatent ein Verfah-ren zur Herstellung eines neuen Erzeugnisses angebe und die angegriffenen Ausführungsformen die gleichen Eigenschaften wie dieses „neue“ Erzeugnis aufweisen würden. Bis zum Prioritätszeitpunkt des Klagepatents seien keine GaN-basierten Halbleitererzeugnisse mit einer hohen Leitfähigkeit verfügbar gewesen. Insbesondere sei bis zu diesem Zeitpunkt nicht bekannt gewesen, wie in ein GaN-Halbleitermaterial eine adäquate Konzentration eines unkompensierten Akzeptor-Dotierstoffes wie Magnesium eingebaut werden könne, um p-dotiertes GaN mit einem niedrigen Widerstand und damit mit einer guten p-Leitfähigkeit herzustellen. Erst durch das klagepatentgemäße Verfahren sei es möglich geworden, GaN-basierte Halbleiter, die geeignet sind, Licht im kurzwelligen Bereich wie blaues, dunkelgrünes oder ultraviolettes Licht zu erzeugen, herzustellen. Dabei hätten auch die angegriffenen Ausführungsformen neben einer mit Silizium n-dotierten GaN-Schicht eine mit Magnesium p-dotierte GaN-Schicht, wobei Analysen der Klägerin ergeben hätten, dass in den angegriffenen Ausführungsformen eine Magnesium-Konzentration von 2,5 x 1019 Atomen/cm3 enthalten sei. Die hypothetische Löslichkeit von Magnesium in GaN, das heißt die ohne den Einsatz eines (zweiten) Ausgleichsdotierstoffes erzielbare Konzentration, liege demgegenüber bei 1,0 x 1017 Magnesium-Atomen/cm3. Damit übersteige die tatsächliche Magnesium-Konzentration bei den angegriffenen Ausführungsformen die hypothethische Löslichkeit von Magnesium in GaN um das 250-fache.

Im Übrigen könne der Einsatz des klagepatentgemäßen Verfahrens durch die Beklagten auch unabhängig von der Anwendung von § 139 Abs. 3 PatG nachgewiesen werden. Zunächst handele es sich bei dem bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen zum Einsatz kommenden Wasserstoff um einen Ausgleichsdotierstoff im Sinne des Klagepatents, da beim gleichzeitigen Einsatz von Wasserstoff und Magnesium die positiv geladenen Magnesium-Akzeptoren durch die negativen Wasserstoff-Donatoren kompensiert würden. Somit würden Mg-H-Komplexe gebildet, die zunächst eine Kompensation der p-Dotierung bewirken würden. Durch diese Kompensation werde zugleich gewährleistet, dass Magnesium und Wasserstoff bei Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen jeweils in der im Wesentlichen gleichen Menge in einen Abschnitt des Kristalls eingebracht würden. Des Weiteren hätten Magnesium und Wasserstoff eine unterschiedliche Beweglichkeit. Wasserstoff als kleinstes Atom im Periodensystem der Elemente habe eine besonders hohe Beweglichkeit und könne daher bei sehr viel niedrigeren Temperaturen aus dem Halbleiterkristall entfernt werden. Schließlich verbleibe nach dem Entfernen des Wasserstoffs aus dem Magnesium-dotierten GaN-basierten Halbleiterkristall eine höhere Konzentration an Magnesium-Atomen im Halbleiterkristall als ohne den Einsatz des Wasserstoffs hätte eingebaut werden können, so dass eine Ungleichgewichtskonzentration von Magnesium erreicht werde.

Die Klägerin hat daher mit Schriftsatz vom 01.04.2009 Klage zum Landgericht Düsseldorf erhoben und beantragt,

I. die Beklagte zu 1) zu verurteilen, es bei Meidung eines für jeden Fall der Zuwiderhandlung fälligen Ordnungsgeldes bis zu 250.000,- EUR – ersatzweise Ordnungshaft bis zu sechs Monaten – oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Wiederholungsfalle Ordnungshaft bis zu zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an den jeweiligen Geschäftsführern zu vollstrecken ist, zu unterlassen, in der Bundesrepublik Deutschland

1. ein Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einem Kristall eines Halbleiters mit großer Bandlücke anzuwenden, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:

gleichzeitiges Einbringen im Wesentlichen gleicher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt des Kristalls, so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt des Kristalls die Löslichkeit des weniger beweglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe überschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des beweglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt des Kristalls hinterlassen wird;

2. Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuführen oder zu besitzen, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind;

II. die Beklagte zu 2) zu verurteilen, es bei Meidung eines für jeden Fall der Zuwiderhandlung fälligen Ordnungsgeldes bis zu 250.000,- EUR – ersatzweise Ordnungshaft bis zu sechs Monaten – oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Wiederholungsfalle Ordnungshaft bis zu zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an den jeweiligen Geschäftsführern zu vollstrecken ist, zu unterlassen, in der Bundesrepublik Deutschland

Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuführen oder zu besitzen, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind;

III. die Beklagte zu 1) zu verurteilen, der Klägerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Aufträge, Auftragsbestätigungen, Rechnungen, Lieferscheine und Zollpapiere vollständig und wahrheitsgemäß Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie seit dem 01.01.1999 die unter Ziffer I. bezeichneten Handlungen begangen hat, und zwar insbesondere:

1. bezüglich der unter Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen unter Angabe

a) der Anzahl der Anwendungen des Verfahrens,

b) der Menge der Erzeugnisse, die unter Anwendung des Verfahrens hergestellt wurden, einschließlich der Angabe von Typenbezeichnungen sowie der Herstellungszeiten,

2. bezüglich der unter Ziffer I. 2. bezeichneten Handlungen unter Angabe

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhalte-nen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse einschließlich sämtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, und solcher Produkte, die als Begleitprodukte dienen, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschlüsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,

c) der einzelnen Angebote, aufgeschlüsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Angebotsempfänger,

d) der betriebenen Werbung, aufgeschlüsselt nach Werbeträgern, deren Auflagenhöhe, Verbreitungs-zeitraum und Verbreitungsgebiet,

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschlüsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst für die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,

wobei der Beklagten zu 1) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempfänger und der nicht gewerblichen Abnehmer statt der Klägerin einem von dieser zu bezeichnenden und ihr gegenüber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftsprüfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 1) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten trägt und ihn zugleich ermächtigt, der Klägerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempfänger, Abnehmer und/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht;

IV. die Beklagte zu 2) zu verurteilen, der Klägerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Aufträge, Auftragsbestätigungen, Rechnungen, Lieferscheine und Zollpapiere vollständig und wahrheitsgemäß Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie seit dem 28.02.1990 die unter Ziffer II. bezeichneten Handlungen begangen hat, und zwar insbesondere unter Angabe:

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse ein-schließlich sämtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, und solcher Produkte, die als Begleitprodukte dienen, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschlüsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,

c) der einzelnen Angebote, aufgeschlüsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschrif-ten der Angebotsempfänger,

d) der betriebenen Werbung, aufgeschlüsselt nach Werbeträ-gern, deren Auflagenhöhe, Verbreitungszeitraum und Ver-breitungsgebiet,

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschlüsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst für die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,

wobei der Beklagten zu 2) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempfänger und der nicht gewerbli-chen Abnehmer statt der Klägerin einem von dieser zu bezeich-nenden und ihr gegenüber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftsprüfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 2) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten trägt und ihn zugleich ermächtigt, der Klägerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempfänger, Abnehmer und/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht;

V. festzustellen,

1. dass die Beklagte zu 1) verpflichtet ist,

a) der Klägerin eine angemessene Entschädigung für die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und in der Zeit vom 01.01.1999 bis zum 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,

b) der Klägerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und seit dem 26.02.2000 begangenen Handlungen entstanden ist und künftig noch entstehen wird,

2. dass die Beklagte zu 2) verpflichtet ist,

a) der Klägerin eine angemessene Entschädigung für die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und in der Zeit vom 28.03.1999 bis 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,

b) der Klägerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und seit dem 26.02.2000 begangenen Handlungen entstanden ist und künftig noch entstehen wird.

Mit Schriftsatz vom 11.08.2009 hat die Klägerin die Anträge zu I. und II. in der Sache für erledigt erklärt und die Anträge auf Auskunft, Rechnungslegung und Feststellung der Schadenersatzpflicht auf bis zum 07.08.2009 begangene Handlungen beschränkt. Die Beklagten haben sich der teilweisen Erledigungserklärung in der mündlichen Verhandlung vom 14.09.2010 unter Verwahrung gegen die Kostenlast angeschlossen.

Die Klägerin beantragt daher nunmehr zuletzt,

zu erkennen wie geschehen,

jedoch mit der Maßgabe, dass sich die Verpflichtung der Beklagten zur Auskunftserteilung und Rechnungslegung auch auf „solche Produkte, die als Begleitprodukte dienen“, erstreckt.

Die Beklagten beantragen,

die Klage abzuweisen;

hilfsweise: das vorliegende Verfahren bis zur Entscheidung über die Nichtigkeitsklage auszusetzen.

Die Beklagten meinen, die angegriffenen Ausführungsformen würden von der technischen Lehre des Klagepatents keinen Gebrauch machen.

Nach Auffassung der Beklagten kann sich die Klägerin nicht auf die Beweislastumkehr nach § 139 Abs. 3 PatG berufen. Weder habe die Klägerin dargelegt, dass die angegriffenen Ausführungsformen eine Ungleichgewichtskonzentration des Magnesiums im GaN aufweisen würden, noch handele es sich bei den angegriffenen Ausführungsformen um „neue“ Erzeugnisse im Sinne dieser Vorschrift. Mit den im Klagepatent angesprochenen hochdotierten ZnSe-Halbleitern habe es im Prioritätszeitpunkt bereits Halbleitererzeugnisse mit einer Ungleich-gewichtskonzentration im Sinne des Klagepatents gegeben. Des Weiteren sei auch die Dotierung von GaN mit Zink im Stand der Technik bekannt gewesen, so dass auch p-dotierte GaN-Verbindungshalbleiter im Prioritätszeitpunkt des Klagepatents bekannt gewesen seien. Darüber hinaus betrage die Löslichkeit von Magnesium in GaN bereits ohne den Einsatz eines Ausgleichsdotierstoffes über 1020 Atome/cm3, so dass dieser Wert deutlich über der durch die Klägerin errechneten hypothetischen Löslichkeit liege.

Für die Verwirklichung der technischen Lehre des Klagepatents komme es entscheidend darauf an, dass mit optimalen Parametern gezielt bestimmte Ergebnisse erreicht würden. Somit sei insbesondere entscheidend, dass der erste und der zweite Ausgleichsdotierstoff in im Wesentlichen gleichen Mengen und damit im Verhältnis 1:1 eingesetzt würden. Dies sei bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen nicht der Fall. Im Rahmen der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen komme das sogenannte MOVPE-Verfahren (metal organic chemical vapor phase epitaxy) zum Einsatz, bei welchem Wasserstoff als Trägermaterial verwendet werde, um die metall-organischen Ausgangsstoffe in den Reaktor zu transportieren. Während die Menge des eingebauten Magnesiums und Galliums somit dadurch gesteuert werde, dass mit einem Durchflussmengenregler mehr oder weniger der Magnesiumverbindung oder der Galliumverbindung den übrigen Gasen beigemischt werde, würden das für die Bereitstellung des Stickstoffs eingesetzte Ammoniak und auch der als Trägergas dienende Wasserstoff sowohl bei der Herstellung der p-dotierten GaN:Mg-Schicht als auch der n-dotierten GaN:Si-Schicht in gleicher Menge dem Gas zuführt, so dass Wasserstoff insbesondere nicht im Sinne des Klagepatents gezielt zugeführt werde, sondern verfahrensbedingt in großen Mengen vorhanden sei. Da es sich bei dem eingesetzten epitaktischen Verfahren um ein selbstorganisiertes Verfahren handele, sei letztlich der Einbau der Ausgangsstoffe in einen Kristall nur beschränkt kontrollierbar.

Die Klägerin tritt diesem Vorbringen entgegen.

Wegen des weiteren Sach- und Streitstandes wird auf die zwischen den Par-teien gewechselten Schriftsätze nebst Anlagen sowie auf das Protokoll der mündlichen Verhandlung Bezug genommen.

Entscheidungsgründe:

Die zulässige Klage hat in der Sache Erfolg. Der Klägerin stehen gegen die Beklagten Ansprüche auf Auskunftserteilung und Rechnungslegung, Schadenersatz sowie Entschädigung aus Art. II. § 1 IntPatÜG i.V.m. Art. 64 EPÜ i.V.m.
§§ 139 Abs. 2, 140b Abs. 1 und 3 PatG i.V.m. §§ 242, 259 BGB zu. Soweit die Parteien den Rechtsstreit demgegenüber übereinstimmend für erledigt erklärt haben, waren die Kosten des Rechtsstreits gemäß § 91a ZPO unter Berück-sichtigung des Sach- und Streitstandes im Zeitpunkt der übereinstimmenden Erledigungserklärung den Beklagten je zur Hälfte aufzuerlegen.

I.
Das Klagepatent betrifft die Herstellung von Halbleiterkristallen mit großer Bandlücke zur Verwendung in elektronischen Vorrichtungen.

Wie die Klagepatentschrift ausführt, werden Halbleiterkristalle insbesondere bei der Herstellung hochentwickelter elektronischer Vorrichtungen eingesetzt. Dabei hängen die nützlichen Eigenschaften von halbleitenden Kristallen nicht nur davon ab, aus welchem Material der Halbleiter ausgebildet ist. Vielmehr kommt es auch auf Spuren von Donator- oder Akzeptor-Dotierstoffen an, die in das Kristallgitter eingebaut sind. Diese Dotierstoffe steuern die Loch- und Elektronenladungsträger bei, die für die nützlichen elektronischen Eigenschaften der Kristalle verantwortlich sind.

Im Stand der Technik, so führt die Klagepatentschrift weiter aus, war es aller-dings bei vielen potentiell nützlichen halbleitenden Kristallen mit einer großen Bandlücke von mindestens 1,4 Elektronenvolt schwierig, in das Kristallgitter in einer reproduzierbaren Weise adäquate Mengen beider Arten von Dotierstoffen, das heißt sowohl Akzeptoren als auch Donatoren, einzubauen und dadurch gute pn-Übergänge bereitzustellen. Als Beispiel dafür nennt die Klagepatentschrift Zinkselenid. Während es im Stand der Technik ohne Weiteres möglich war, gut n-leitendes Zinkselenid bereitzustellen, war es im Hinblick auf p-leitendes Zinkselenid schwierig, zuverlässig „gutleitendes“ Material in einer reproduzierbaren Weise zu erhalten, da in Materialien mit einer großen Bandlücke eine Tendenz zum Ausgleich zwischen Donatoren und Akzeptoren besteht.

Vor dem Hintergrund dieses Standes der Technik liegt dem Klagepatent nach der Klagepatentbeschreibung die Aufgabe (das technische Problem) zugrunde, ein Verfahren zur Dotierung schwer dotierbarer Halbleiter mit großer Bandlücke wie Zinksulfid, Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Zinktellurid und Diamant bereitzustellen, welches einer guten Steuerung zugänglich ist.

Dies geschieht nach Patentanspruch 1 durch eine Kombination der folgenden Merkmale:

Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einen Kristall (12, 14) eines Halbleiters mit großer Bandlücke, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:

1. gleichzeitiges Einbringen eines ersten und eines zweiten Dotierstoffes in mindestens einen Abschnitt (14) des Halb-leiterkristalls (12, 14), wobei

a) der erste und der zweite Dotierstoff Ausgleichs-dotierstoffe sind,

b) im Wesentlichen gleiche Mengen des ersten und zweiten Ausgleichsdotierstoffes eingebracht werden,

c) die Ausgleichsdotierstoffe unterschiedliche Beweg-lichkeiten aufweisen und

d) die Konzentration des weniger beweglichen Aus-gleichsdotierstoffes im Abschnitt (14) des Kristalls die Löslichkeit des weniger beweglichen Ausgleichs-dotierstoffes in Abwesenheit des beweglicheren Do-tierstoffes überschreitet;

2. selektives Entfernen des beweglicheren Ausgleichs-dotierstoffes aus dem Abschnitt (14) des Halbleiterkristalls (12, 14), so dass

3. eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger bewegli-chen Dotierstoffes im Abschnitt (14) des Halbleiterkristalls (12, 14) hinterlassen wird.

Das Klagepatent beansprucht somit ein Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einen Kristall eines Halbleiters mit einer großen Bandlücke, wobei klagepatentgemäß unter einer großen Bandlücke eine Bandlücke von mindestens 1,4 Elektronenvolt zu verstehen ist (vgl. Anlage K 2, S. 1, dritter Absatz). Eine über diese Vorgabe hinausgehende Beschränkung auf bestimmte Stoffe enthält die Klagepatentschrift demgegenüber nicht. Zwar werden dem Fachmann in der Klagepatentbeschreibung beispielsweise Zinkselenid, Zinksulfid, Cadiumsulfid, Cadiumselenid, Zinktellurid und Diamant genannt (vgl. Anlage K 2, S. 3 1. Absatz). Da der hinsichtlich der Reichweite des Schutzbereichs al-lein maßgebliche Patentanspruch 1 eine entsprechende Beschränkung auf bestimmte Stoffe bzw. Stoffgruppen jedoch nicht enthält, ist die technische Lehre des Klagepatents nicht auf diese Stoffe beschränkt.

Was unter einem „Ungleichgewichts(verunreinigungs)einbau“ zu verstehen ist, wird dem Fachmann auf Seite 3 der Übersetzung des Klagepatents erläutert. Danach ist unter einem „Ungleichgewichtsverunreinigungseinbau“ der Einbau eines Dotierstoffes (Verunreinigung) zu verstehen, der seine Gleichgewichtslöslichkeit bei einer bestimmten Temperatur und Konzentration einer Ausgleichsart überschreitet (vgl. Anlage K 2, S. 3, zweiter Absatz). Ziel des klagepatentgemäßen Verfahrens ist es somit, die Konzentration eines Ausgleichsdotierstoffes derart zu erhöhen, dass dessen tatsächliche Konzentration dessen Löslichkeit, das heißt dessen ohne Anwesenheit eines zweiten Dotierstoffes erreichbare Konzentration, überschreitet.

Nach der technischen Lehre des Klagepatents soll dies dadurch erreicht wer-den, dass gleichzeitig zwei Ausgleichsdotierstoffe in im Wesentlichen gleichen Mengen in mindestens einen Abschnitt des Halbleiterkristalls eingebracht werden (Merkmale 1 a) und b)). Während es sich bei dem ersten Dotierstoff um den „eigentlichen“ Dotierstoff handelt, welcher die Leitfähigkeit des Halbleiters erhöhen soll, dient der zweite Dotierstoff dazu, die Löslichkeit des gewünschten Dotierstoffes zu erhöhen, indem der zweite Dotierstoff den Einbau einer anderen Ausgleichsart vermindert (vgl. Anlage K 2, S. 4, zweiter Absatz). Im Ergebnis wird somit durch das Einbringen des zweiten Dotierstoffes die Löslichkeit des ersten, gewünschten Dotierstoffes erhöht, so dass sie größer ist, als wenn er allein eingebracht worden wäre (vgl. Anlage K 2, S. 10, 3. Absatz).

Beispiele, welche Stoffe als Ausgleichsdotierstoffe zum Einsatz kommen kön-nen, werden dem Fachmann in der Klagepatentbeschreibung offenbart. Danach kann beispielsweise Wasserstoff sowohl als Donatorverunreinigung als auch als Akzeptorverunreinigung und damit als Ausgleichsdotierstoff fungieren, um p- bzw. n-leitende Dotierstoffe auszugleichen (vgl. Anlage K 2, S. 6, 2. Absatz und S. 10, erster Absatz). Nach der Patentbeschreibung wird dadurch auf jeden Fall die effektive Löslichkeit des gewünschten Dotierstoffes erhöht, wobei der spezifische Widerstand der Halbleitermasse niedriger ist, als er wäre, wenn der gewünschte Dotierstoff allein eingebracht würde (vgl. Anlage K 2, S. 6, 2. Absatz a. E., S. 10, dritter Absatz und S. 11, letzter Absatz – S. 12, erster Absatz).

Als mögliche Halbleitermaterialien, welche dotiert werden können, nennt die Klagepatentschrift Zinkselenid (vgl. Unteranspruch 2) sowie Zinktellurid (vgl. Unteranspruch 5). Jedoch handelt es sich dabei lediglich um bevorzugte Aus-führungsbeispiele, so dass auch andere Stoffe als Halbleitermaterial zum Ein-satz kommen können, unabhängig davon, ob diese p- oder n-dotiert werden sollen.
Entgegen der Auffassung der Beklagten ist der Einsatz von Wasserstoff als zweitem Dotierstoff dabei auch nicht auf bestimmte Verfahren beschränkt. Zwar wird der Einsatz einer chemischen Organometall-Gasphasenabscheidung (MOCVD) lediglich im Zusammenhang mit dem Einsatz von Chlor und Lithium als Ausgleichsdotierstoffe beschrieben (vgl. Anlage K 2, S. 9, 2. und 3. Absatz). Demgegenüber nennt das Klagepatent im Rahmen der Beschreibung des Einsatzes von Wasserstoff als Verfahren zum gleichzeitigen Einbringen des Wasserstoffs mit dem gewünschten Dotierstoff ausdrücklich nur die Verbindungsdiffusionstechnik (vgl. Anlage K 2, S. 11 erster Absatz), die Kristallzüchtung (vgl. Anlage K 2, S. 11, zweiter Absatz) und bekannte Ionenimplantationstechniken (vgl. Anlage K 2, S. 11, 2. Absatz a. E.). Dies bedeutet jedoch nicht, dass das MOCVD-Verfahren auf den in der Klagepatentschrift ausdrücklich genannten Bereich beschränkt wäre. Da sich derartige, lediglich im Rahmen der bevorzugten Ausführungsbeispiele genannte Verfahren nicht im Patentanspruch finden, ist die technische Lehre des Klagepatents nicht auf den Einsatz bestimmter Verfahren beschränkt, solange nur sichergestellt ist, dass, wie von Merkmal 1 b) gefordert, im Wesentlichen gleiche Mengen des ersten und des zweiten Dotierstoffes eingebracht werden. Damit führt es auch nicht aus dem Schutzbereich der technischen Lehre des Klagepatents heraus, wenn Wasserstoff bei dem gewählten Verfahren bereits verfahrensbedingt in großer Menge vorhanden ist, solange er nur in im Wesentlichen der gleichen Menge wie der erste Dotierstoff in den Halbleiter eingebracht wird (vgl. Anlage K 2, S. 4, 2. Absatz), um die Löslichkeit des ersten Dotierstoffs zu erhöhen.

Nach der technischen Lehre des Klagepatents ist weiterhin erforderlich, dass im Anschluss einer der beiden Ausgleichsdotierstoffe, nämlich der beweglichere, selektiv entfernt wird, weshalb die beiden Ausgleichsdotierstoffe unterschiedliche Beweglichkeiten aufweisen müssen (Merkmale 1 c) und 2). Dadurch weist der Halbleiter einen sehr viel kleineren spezifischen Widerstand auf (vgl. Anlage K 2, S. 10, 3. Absatz), da eine Ungleichgewichtskonzentration des beweglicheren Dotierstoffes im Abschnitt des Halbleiterkristalls hinterlassen wird (Merkmal 3.). Im Ergebnis ist somit die Konzentration des weniger beweglichen Ausgleichsdotierstoffes höher als dessen Löslichkeit in Abwesenheit des beweglicheren Dotierstoffes (Merkmal 1 d)).

II.
Ausgehend von diesen Überlegungen machen die angegriffenen Ausführungsformen und das Verfahren zu ihrer Herstellung von der technischen Lehre des Klagepatents wortsinngemäß Gebrauch, § 9 S. 1 S. 2 Nr. 2 und 3 PatG. Da es für die Entscheidung nicht auf den durch die Beklagten in der mündlichen Verhandlung überreichten Aufsatz ankommt, war es nicht erforderlich, der Klägerin die beantragte Schriftsatzfrist einzuräumen. Es kann dahinstehen, ob die durch die Klägerin zur Begründung einer Verletzung des Klagepatents herangezogene Vermutungsregel aus § 139 Abs. 3 PatG so auszulegen ist, dass mit dem patentgemäßen Verfahren ausschließlich neue Erzeugnisse hergestellt werden können, oder ob es genügt, wenn das Verfahren auch die Herstellung neuer Erzeugnisse ermöglicht. Auch ohne die Anwendung dieser Vermutungsregel steht es für die Kammer mit der für eine Verurteilung erforderlichen Sicherheit fest, dass bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen das durch Patentanspruch 1 des Klagepatents bean-spruchte Verfahren in der Bundesrepublik Deutschland zur Anwendung kommt.

1.
Unstreitig werden bei den angegriffenen Ausführungsformen in den eine große Bandlücke im Sinne des Klagepatents aufweisenden GaN-Halb-leiterkristall sowohl Magnesium als auch Wasserstoff eingebaut (Merkmal 1 lit. a). Dass patentgemäß Wasserstoff, und zwar auch im sog. MOVPE-Verfahren, einen Ausgleichsdotierstoff – hier für Magnesium – darstellt, wurde bereits im Rahmen der Patentauslegung erläutert. Darauf wird zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug genommen. Des Weiteren weist Wasserstoff – wovon beide Parteien ausgehen – eine höhere Beweglichkeit als Magnesium auf (Merkmal 1 lit. c)), wobei der Wasserstoff als beweglicherer Dotierstoff bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen selektiv entfernt wird (Merkmal 2).

2.
Im Rahmen des bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen eingesetzten Verfahrens werden Magnesium und Wasserstoff als erster und zweiter Ausgleichsdotierstoff in im Wesentlichen gleichen Mengen eingebracht (Merkmal 1 lit. b)). Wie die Kammer bereits im Rahmen der Patent-auslegung ausgeführt hat, kommt es für die Verwirklichung dieses Merkmals nicht darauf an, ob Wasserstoff bei dem gewählten Verfahren bereits verfah-rensbedingt in großer Menge vorhanden ist, solange er nur in im Wesentlichen der gleichen Menge wie der erste Dotierstoff in den Halbleiter eingebracht wird. Auf die diesbezüglichen Ausführungen wird zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug genommen. Damit führt es auch nicht aus dem Schutzbereich des Klagepatents heraus, dass bei Magnesium-dotierten Galliumnitrid-Halbleitern das als Ausgangsstoff erforderliche Gallium in Form von Trimethylgallium [(CH3)3Ga], das Magnesium in Form von Bis(cyclopentadienyl)magnesium (Magnesocen, CP2Mg) und der erforderliche Stickstoff in Form von Ammoniak (NH3) zugeführt werden und Wasserstoff darüber hinaus bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie als Trägerstoff verwendet wird, solange nur Magnesium und Wasserstoff in im Wesentlichen gleichen Mengen eingebaut werden. Dies ist bei dem zur Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen zum Einsatz kommenden Verfahren jedoch der Fall.

a)
Die Klägerin hat anhand zahlreicher Veröffentlichungen dargelegt, dass regel-mäßig gleiche Mengen der beiden Ausgleichsdotierstoffe Magnesium und Wasserstoff in Form von Mg-H-Komplexen bei Anwendung des bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen unstreitig zum Einsatz kommenden MOVPE-Verfahrens in den Halbleiter eingebaut werden.

So führt der durch die Klägerin beauftragte private Sachverständige Prof. Hommel aus, dem Fachmann sei klar, dass es aufgrund der sehr komplizierten Defektchemie und der Vielzahl möglicher Defektkonfigurationen nicht nur zu einem 1-zu-1-Einbau von Mg-H komme, sondern dass es eine Vielzahl von Einbaumöglichkeiten sowohl des gewünschten Dotierstoffes, als auch des „kompensierenden“ zweiten Ausgleichsdotierstoffes gebe. Tatsache sei aber, dass dort, wo zum Beispiel Wasserstoff im MOVPE-Prozess das Magnesium-Atom als Akzeptor kompensiere, ein solcher 1-zu-1-Komplex entstehe. Erstmals sei von Amano beobachtet worden, dass nach Bestrahlung von mittels MOVPE hergestelltem GaN:Mg mit niederenergetischen Elektronen eine p-Leitung auftrete. Nakamura habe 1992 zeigen können, dass ein einfaches thermisches Aufheizen von GaN:Mg-Schichten bereits zur p-Leitung führe und der von Amano beobachtete Effekt wohl auf eine thermische Aktivierung zurück zu führen sei. Ihnen allen sei aber der zuvor erfolgte 1-zu-1-Einbau als Mg-H-Komplex und die nachträgliche gezielte Aktivierung durch Entfernen des wesentlich beweglicheren Wasserstoffs gemein. Dem Fachmann sei damit bekannt, dass Magnesium durch Wasserstoff kompensiert werde, was im Verhältnis 1-zu-1 geschehe (vgl. Anlage K 75, S. 2).

Dies bestätigt auch der Prüfer im Patenterteilungsverfahren in dem durch die Beklagten als Anlage B 15b vorgelegten Prüfbericht, in welchem der Prüfer klarstellt, dass dem Fachmann klar sei, dass die Mengen der zwei Dotanden, die während der Epitaxie (MOVPE) eingearbeitet würden, infolge der starken Kompensationskräfte ungefähr gleich seien (vgl. Anlage B 15b, S. 3, 3. Absatz). Schließlich ging auch der durch die Beklagten beauftragte private Sachverständige Professor V in dem als Anlage K 71a vorgelegten Beitrag davon aus, dass eine vollständige Kompensation der Mg-Akzeptoren mittels Wasserstoff stattfindet (vgl. Anlage K 71a, S. 191), wodurch Wasserstoff-Magnesium-Komplexe entstehen. Dabei ging er selbst davon aus, was er in dem Privatgutachten gemäß Anlage B 4 einräumt, dass sich das Verhältnis von Wasserstoff und Magnesium von allein auf 1:1 regelt (vgl. Anlage B 4, S. 1). Darüber hinaus hat auch Nakagawa in der als Anlagen K 78 / K 78a vorgelegten Veröffentlichung experimentell festgestellt, dass lediglich 5 – 10 Prozent weniger Wasserstoff als Magnesium im Halbleiterkristall vorhanden sind, wobei die Beklagte zu 1) bei der Herstellung der angegriffenen Ausführungsformen die gleichen Materialien (GaN und Mg) und auch das gleiche Verfahren einsetzt.

b)
Dieses Vorbringen haben die Beklagten nicht erheblich bestritten. Soweit Prof. V in dem als Anlage B 4 vorgelegten Privatgutachten ausführt, das Verhältnis von Wasserstoff zu Magnesium weiche wesentlich vom im ursprünglichen Modell vorhergesagten 1:1-Verhältnis ab, konsistent zu aktuellen experi-mentellen Verhältnissen liege die Wasserstoffkonzentration um mehr als 30 Prozent unter der Konzentration von Magnesium, ist es für die Kammer – wo-rauf der Beklagtenvertreter in der mündlichen Verhandlung hingewiesen wurde – nicht nachvollziehbar, wie Prof. V zu dieser von seiner bisherigen Auffassung abweichenden These, die auch durch keinerlei Referenzen irgendwie belegt ist, gelangt. In dem als Anlage B 9 vorgelegten Ergänzungsgutachten konzentriert sich Prof. V demgegenüber auf die Frage der Löslichkeit von Magnesium in GaN, so dass sich auch diesem Gutachten nicht entnehmen lässt, weshalb die Wasserstoffkonzentration nunmehr um 30 Prozent geringer als die Magnesium-Konzentration sein soll.

Soweit die Beklagten in ihrer Duplik weiterhin vortragen lassen, die Beklagte zu 1) habe am 03.05.2010 und am 10.05.2010 unmittelbar nach dem Aufwachsen des Halbleiterkristalls mehrere Wafer aus der laufenden Produktion entnommen und durch die RTG Mikroanalyse GmbH untersuchen lassen, wobei sich ergeben habe, dass die Magnesium-Konzentration das 6-fache bzw. das 3,3-fache der Wasserstoffkonzentration betragen habe, hat die Klägerin zurecht die Frage aufgeworfen, zu welchem Zeitpunkt im Herstellungsprozess die Proben entnommen und untersucht wurden. Die bloße Angabe, dies sei „unmittelbar nach dem Aufwachsen des Halbleiterkristalls“ erfolgt, ist jedenfalls nicht nachvollziehbar. Darüber hinaus ist, worauf die Kammer in der mündlichen Verhandlung ebenfalls hingewiesen hat, auch nicht ersichtlich, wie die gesamte Untersuchung im Einzelnen ablief. Vielmehr haben die Beklagten lediglich Messergebnisse mitgeteilt, ohne deren Zustandekommen nachvollziehbar zu erläutern.

3.
Schließlich liegt bei den angegriffenen Ausführungsformen das Magnesium als unbeweglicherer Dotierstoff in einer Ungleichgewichtskonzentration vor, da die Magnesiumkonzentration zumindest in einem Abschnitt des Halbleiters höher ist als die Löslichkeit von Magnesium in Abwesenheit von Wasserstoff als beweglicherem Dotierstoff (Merkmale 1 lit. d) und 3).

Nach dem unbestrittenen Vortrag der Klägerin beträgt die tatsächliche Konzentration von Magnesium als Dotierstoff bei den angegriffenen Ausführungsformen 2,5 x 1019 Atome/cm3. Die Klägerin hat anhand der als Anlage K 86 vorgelegten Berechnungen unter Anwendung der sog. „Neumark-Formel“ im Einzelnen dargelegt, dass die hypothetische Löslichkeit von Magnesium 1,0 x 1017 Atome/cm3 beträgt, so dass danach die tatsächliche Konzentration des Magnesiums höher als dessen hypothetische Löslichkeit ist. Ein ähnlicher Wert lässt sich dem Beitrag von V„Theorie des Wasserstoffs in GaN“ zum Band 61 „Wasserstoff in Halbleitern II“ (Anlage K 87, S. 497) entnehmen.

Diesen Vortrag haben die Beklagten nicht erheblich bestritten. Soweit sich die Beklagten zunächst darauf berufen, bei der durch die Klägerin zur Berechnung der hypothetischen Löslichkeit eingesetzten „Neumark-Formel“ handele es sich um eine auf Modell-Annahmen beruhende und damit zur Bestimmung der hypothetischen Löslichkeit von Magnesium untaugliche ab initio-Berechnung, vermag dieses Vorbringen eine substantiierte Auseinandersetzung mit der Berechnung der Klägerin nicht zu ersetzen. Dies gilt umso mehr, als dass die Beklagten selbst in ihrer Klageerwiderung, ohne dass die Klägerin hierfür eine Veranlassung gegeben hätte, zur Bestimmung der hypothetischen Löslichkeit des Magnesiums die sog. „Neumark-Formel“ angewendet haben. Bereits dies zeigt, dass es sich bei dieser Formel um eine in Fachkreisen anerkannte Methode zur Bestimmung der hypothetischen Löslichkeit von Magnesium handelt.

Dem Vortrag der Beklagten lässt sich auch nicht entnehmen, welche konkrete hypothetische Löslichkeit nach ihrer Auffassung Magnesium in GaN unter mit der Berechnung der Klägerin vergleichbaren Bedingungen aufweist. Vielmehr haben sich die Beklagten zunächst auf den als Anlagen B 11a/B 11b zur Akte gereichten Aufsatz von Averbeck et. al. berufen, in welchem auf Seite 30 von einer Magnesium-Konzentration von 1020 cm-3 gesprochen wird (vgl. Anlage B 11b, S. 3, letzter Absatz). Zwar liegt dieser Wert über der durch die Klägerin errechneten Konzentration, jedoch bezieht sich dieser Wert auf Halbleiter, die mittels der Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt werden. Inwiefern dieser Wert auf die Herstellung von Halbleitern im MOVPE/MOCVD-Verfahren über-tragbar ist, ist weder vorgetragen, noch ersichtlich. Nach der technischen Lehre des Klagepatents kommt es entscheidend darauf an, dass die nunmehr mit Hilfe des klagepatentgemäßen Verfahrens und damit durch den Einsatz eines zweiten Ausgleichsdotierstoffes erzielte Konzentration des ersten Dotierstoffs dessen Löslichkeit überschreitet. Ein Vergleich der Konzentration des ersten Dotierstoffes in An- und Abwesenheit des zweiten Dotierstoffes ist jedoch nur dann möglich, wenn die Bedingungen im Übrigen identisch sind (vgl. Anlage K 2, S. 2, 3. Absatz a. E.). Dass dies beim MBE-Verfahren im Vergleich zum MOVPE/MOCVD-Verfahren der Fall ist, haben die Beklagten weder nachvollziehbar vorgetragen, noch ist dies ersichtlich. Insoweit genügt es insbesondere nicht, wenn die Beklagten vortragen, bei dem in den Anlagen B 11a/B 11b beschriebenen Verfahren würden Aufwachstemperaturen von 730 °C und damit deutlich niedrigere Temperaturen als beim MOVPE-Ver-fahren eingesetzt, so dass dort auch ohne den Einsatz eines zweiten Ausgleichsdotierstoffes eine noch höhere Magnesium-Konzentration erzielbar sei.

Schließlich bezieht sich auch der durch die Beklagten herangezogene und als Anlagen B 12a/B 12b vorgelegte Artikel von Haase et al. auf die Herstellung ei-nes Lithium-dotierten, p-leitenden Zinkselenid-Halbleiters mittels des MBE-Verfahrens ohne Zugabe eines Ausgleichsdotierstoffes, so dass auch die diesbezüglichen Ausführungen auf der Grundlage des Vortrages der Beklagten keinen Rückschluss auf die Löslichkeit von Magnesium in GaN ohne den Einsatz von Wasserstoff unter sonst gleichen Bedingungen zulassen.

III.
Da die angegriffenen Ausführungsformen und das Verfahren zu ihrer Herstel-lung somit von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch machen, rechtfertigen sich die tenorierten Rechtsfolgen.

1.
Die Beklagten haben der Klägerin Schadenersatz zu leisten (Art. 64 Abs. 1 EPÜ i.V.m. § 139 Abs. 2 PatG), denn als Fachunternehmen hätten sie die Patentverletzung durch die angegriffenen Ausführungsformen bei Anwendung der im Verkehr erforderlichen Sorgfalt erkennen können, § 276 BGB. Die genaue Schadenshöhe steht derzeit noch nicht fest. Da es jedoch ausreichend wahrscheinlich ist, dass der Klägerin durch die rechtsverletzenden Handlungen der Beklagten ein Schaden entstanden ist und dieser von der Klägerin noch nicht beziffert werden kann, weil sie ohne eigenes Verschulden in Unkenntnis über den Umfang der Benutzungs- und Verletzungshandlungen ist, ist ein rechtliches Interesse der Klägerin an einer Feststellung der Schadenersatzverpflichtung dem Grunde nach anzuerkennen, § 256 ZPO. Darüber hinaus haben die Beklagten der Klägerin gemäß Art. II § 1 IntPatÜG im zuerkannten Umfang eine angemessene Entschädigung zu zahlen.

2.
Damit die Klägerin in die Lage versetzt wird, den ihr zustehenden Schadener-satzanspruch zu beziffern, sind die Beklagten im zuerkannten Umfang zur Rechnungslegung verpflichtet (§§ 242, 259 BGB). Die Klägerin ist auf die zuerkannten Angaben angewiesen, über die sie ohne eigenes Verschulden nicht verfügt. Darüber hinaus werden die Beklagten durch die von ihnen verlangten Auskünfte nicht unzumutbar belastet. Die Beklagten haben schließlich über Herkunft und Vertriebsweg der rechtsverletzenden Erzeugnisse Auskunft zu erteilen (Art. 64 Abs. 1 EPÜ i.V.m. § 140b PatG). Soweit ihre nicht gewerblichen Abnehmer und bloßen Angebotsempfänger hiervon betroffen sind, ist den Beklagten im Hinblick auf ihre Rechnungslegungspflicht in Bezug auf ihre nicht gewerblichen Abnehmer und Angebotsempfänger ein Wirtschaftsprüfervorbehalt einzuräumen (vgl. Oberlandesgericht Düsseldorf, Urteil vom 20.09.2001, Az.: 2 U 91/00).

Allerdings erstreckt sich die durch die Beklagten zu erteilende Auskunft und Rechnungslegung – worauf die Kammer in der mündlichen Verhandlung hingewiesen hat – nicht auf „solche Produkte, die als Begleitprodukte dienen“. Insoweit ist bereits nicht erkennbar, was unter derartigen „Begleitprodukten“ zu verstehen sein soll. Der diesbezügliche Vortrag der Klägerin beschränkt sich auf den lediglich pauschalen Hinweis, solche Begleitprodukte seien hier beispielsweise „Schaltvorrichtungen und sonstiges Zubehör“.

IV.
Eine Aussetzung der Verhandlung nach § 148 ZPO kommt nicht in Betracht.

1.
Regelmäßig ist eine Aussetzung bereits dann nicht veranlasst, wenn die Be-klagten – wie hier – die Nichtigkeitsklage erst so kurzfristig vor dem Hauptter-min im Verletzungsprozess erheben, dass dem Patentinhaber eine angemes-sene Erwiderung auf das Einspruchs- oder Nichtigkeitsvorbringen nicht möglich ist (vgl. LG Düsseldorf, InstGE 3, 54 – Sportschuhsohle, Kühnen/Geschke, Die Durchsetzung von Patenten in der Praxis, 4. Auflage, Rz. 1052).

2.
Im Übrigen erscheint eine Vernichtung des Klagepatents im Nichtigkeitsverfahren im Hinblick auf den durch die Beklagten zur Begründung des Aussetzungsantrages vorgelegten Stand der Technik auch nicht überwiegend wahrscheinlich.

a)
Bei dem Aufsatz „T. Yasuda et. al., Appl. Phys. Lett. 52, 1988, pp. 57 – 59″ (Entgegenhaltung D5 im Nichtigkeitsverfahren, vgl. Anlagen B 14a – B 14c) handelt es sich um bereits im Erteilungsverfahren geprüften Stand der Technik, mit welchem sich der Prüfer – wie die durch die Beklagten vorgelegten Auszüge aus der Erteilungsakte zeigen – umfassend auseinandergesetzt hat.

b)
Darüber hinaus nimmt auch der Aufsatz „H. Amano et al., Journal of Luminescence 40& 41, 1988, pp. 121 – 122“ (Entgegenhaltung D2 im Nichtig-keitsverfahren, vgl. Anlagen B 7a / B 7b) die technische Lehre des Klagepa-tents weder neuheitsschädlich, noch naheliegend vorweg. Insoweit ist aus den vorgelegten Unterlagen zunächst nicht ersichtlich, ob dieser Aufsatz tatsächlich – wie von den Beklagten im Nichtigkeitsverfahren behauptet – in der Februarausgabe der genannten Zeitschrift und damit vor dem Prioritätsdatum veröffentlicht wurde. Die in der Nichtigkeitsklage erwähnte Anlage D2a liegt im Verletzungsverfahren nicht vor. Im Übrigen offenbart die Entgegenhaltung auch nicht den Einsatz zweiter Ausgleichsdotierstoffe, die in im Wesentlichen gleichen Mengen eingebracht werden, um eine Ungleichgewichtskonzentration des ersten Dotierstoffes zu erzielen. Vielmehr befasst sich die Entgegenhaltung im Wesentlichen mit der Untersuchung Zink-dotierter GaN-Epischichten.

V.
Die Kostenentscheidung beruht auf §§ 92 Abs. 2 Nr. 1, 91a ZPO. Soweit die Parteien den Rechtsstreit übereinstimmend für erledigt erklärt haben, haben die Beklagten unter Berücksichtigung des Sach- und Streitstandes im Zeitpunkt der übereinstimmenden Teil-Erledigungserklärung die Kosten des Rechtsstreits ebenfalls jeweils zur Hälfte zu tragen, da der Klägerin gegen die Beklagten bis zum Erlöschen des Klagepatents durch Zeitablauf auch ein patentrechtlicher Unterlassungsanspruch aus Art. 64 EPÜ i.V.m. § 139 Abs. 1 PatG zustand. Insoweit wird zur Vermeidung von Wiederholungen auf die o.g. Ausführungen zur Verletzung des Klagepatents Bezug genommen.

Die Entscheidungen zur vorläufigen Vollstreckbarkeit folgen aus §§ 709 S. 1 und 2, 108 ZPO.

Der Streitwert wird bis zur teilweisen übereinstimmenden Erledigungserklärung in der mündlichen Verhandlung vom 14.09.2010 auf 15.000.000,- EUR, danach auf 7.500.000,- EUR festgesetzt. Davon entfällt auf jede Beklagte jeweils die Hälfte.